O equipamento de deposição de camadas atômicas assistido a plasma (plasma enhanced atomic layer deposition, PEALD, BENEQ TFS 200) está fisicamente instalado na sala de processamento de materiais do laboratório NanotecPlasma (sala 09 - IP&D).
O ALD como suas iniciais sugerem utiliza uma técnica de depósito de camada atômica. O princípio geral consiste em expor sucessivamente uma dada superfície a precursores químicos diferentes, a fim de obter filmes ultra-finos. O depósito de uma camada atômica ocorre durante 4 passos:
- Injeção do primeiro precursor gasoso sobre a superfície do substrato e formação de uma monocamada constituida de espécies adsorvidas "quimicamente" ou "fisicamente".
- Purga da câmara de reação com gás ultra puro a fim de eliminar quaisquer espécies remanescente que não tenham reagido, bem como reação de sub-produtos.
- A injeção do segundo precursor gasoso sobre a superfície e formação da camada do material de destino.
- Purga dos sub-produtos remanescente da reação.